Diode Surface STMicroelectronics, 200 mA Diode Schottky, 30 V, MiniMELF 2 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de montage
Surface
Type de produit
Diode
Type de Boitier
MiniMELF
Courant continu direct maximum If
200mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
30V
Séries
TMMBAT43
Configuration de diode
Single
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
2
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant inverse crête Ir
500nA
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
4A
Tension directe maximale Vf
1V
Température maximale d'utilisation
125°C
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Hauteur
1.62mm
Longueur
3.4mm
Diamètre
1.5 mm
Normes/homologations
RoHS
Largeur
1.62 mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 71,61
€ 0,029 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Configuration de diode
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Diode Schottky
Nombre de broches
2
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant inverse crête Ir
500nA
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
4A
Tension directe maximale Vf
1V
Température maximale d'utilisation
125°C
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Hauteur
1.62mm
Longueur
3.4mm
Diamètre
1.5 mm
Normes/homologations
RoHS
Largeur
1.62 mm
Standard automobile
No
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