Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
MiniMELF
Courant continu direct maximum If
200mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
30V
Configuration de diode
Single
Séries
TMMBAT43
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
2
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
4A
Tension directe maximale Vf
1V
Courant inverse crête Ir
500nA
Température de fonctionnement maximale
125°C
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Hauteur
1.62mm
Longueur
3.4mm
Diamètre
1.5 mm
Normes/homologations
RoHS
Largeur
1.62 mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.
Diodes and Rectifiers, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 3,78
€ 0,038 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Standard
100
€ 3,78
€ 0,038 Each (In a Pack of 100) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
100
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STMicroelectronicsType de produit
Diode
Type de montage
Surface
Type de Boitier
MiniMELF
Courant continu direct maximum If
200mA
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
30V
Configuration de diode
Single
Séries
TMMBAT43
Type de Diode
Diode Schottky
Nombre de broches
2
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
4A
Tension directe maximale Vf
1V
Courant inverse crête Ir
500nA
Température de fonctionnement maximale
125°C
Temps de recouvrement inverse crête trr
5ns
Hauteur
1.62mm
Longueur
3.4mm
Diamètre
1.5 mm
Normes/homologations
RoHS
Largeur
1.62 mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes barrières Schottky, jusqu'à 1 A, STMicroelectronics
Haute puissance, haut rendement et haute densité.


