Transistor Darlington, Non STMicroelectronics 7, 500 mA NPN, 50 V HFE:1000, 16 broches, SOIC
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Tranzistor Darlington
Maximální trvalý kolektorový proud Ic
500mA
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
50V
Type de Boitier
SOIC
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
16
Počet prvků na čip
7
Minimální zisk stejnosměrného proudu hFE
1000
Polarité du transistor
NPN
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.6V
Température minimum de fonctionnement
-5°C
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
5mm
Höhe
1.65mm
Normes/homologations
JEDEC Standard JESD97
Série
ULN2004
Automobilový standard
No
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 20,10
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
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Surface
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Minimální zisk stejnosměrného proudu hFE
1000
Polarité du transistor
NPN
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.6V
Température minimum de fonctionnement
-5°C
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
5mm
Höhe
1.65mm
Normes/homologations
JEDEC Standard JESD97
Série
ULN2004
Automobilový standard
No
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
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