Transistor Darlington, Non STMicroelectronics 4, 1.75 A NPN, 50 V, 16 broches, Puissance DIP-16
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Darlington Transistor
Courant continu de Collecteur maximum lc
1.75A
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
50V
Type de Boitier
Puissance DIP-16
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
16
Nombre d'éléments par circuit
4
Dissipation de puissance maximum Pd
4.3W
Polarité du transistor
NPN
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.4V
Température minimum de fonctionnement
-20°C
Température d'utilisation maximum
85°C
Normes/homologations
No
Séries
ULN2064B
Largeur
8.8 mm
Longueur
2mm
Hauteur
5.1mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
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4
Dissipation de puissance maximum Pd
4.3W
Polarité du transistor
NPN
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.4V
Température minimum de fonctionnement
-20°C
Température d'utilisation maximum
85°C
Normes/homologations
No
Séries
ULN2064B
Largeur
8.8 mm
Longueur
2mm
Hauteur
5.1mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
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