Transistor Darlington, Non STMicroelectronics 4, 500 mA NPN, 50 V, 16 broches, PDIP
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Darlington Transistor
Courant continu de Collecteur maximum lc
500mA
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
50V
Type de Boitier
PDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
16
Nombre d'éléments par circuit
4
Dissipation de puissance maximum Pd
4.3W
Polarité du transistor
NPN
Tension Emetteur Base maximale VEBO
50V
Température minimum de fonctionnement
-20°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.1V
Température d'utilisation maximum
85°C
Largeur
7.1 mm
Taille
5.1mm
Longueur
20mm
Normes/homologations
No
Séries
ULN2068B
Standard automobile
No
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
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4
Dissipation de puissance maximum Pd
4.3W
Polarité du transistor
NPN
Tension Emetteur Base maximale VEBO
50V
Température minimum de fonctionnement
-20°C
Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum
1.1V
Température d'utilisation maximum
85°C
Largeur
7.1 mm
Taille
5.1mm
Longueur
20mm
Normes/homologations
No
Séries
ULN2068B
Standard automobile
No
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
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