Paire Darlington, NPN, 0,5 A, 50 V, PDIP, Traversant, 18 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
0.5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-50 V
Tension Emetteur Base maximum
50 V
Gehäusegröße
PDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
18
Configuration du transistor
Emetteur commun
Počet prvků na čip
8
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.6 V
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Betriebstemperatur max.
85 °C
Longueur
23.24mm
Höhe
3.93mm
Largeur
7.1mm
Rozměry
23.24 x 7.1 x 3.93mm
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Tension Emetteur Base maximum
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PDIP
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Through Hole
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Configuration du transistor
Emetteur commun
Počet prvků na čip
8
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.6 V
Température de fonctionnement minimum
-20 °C
Betriebstemperatur max.
85 °C
Longueur
23.24mm
Höhe
3.93mm
Largeur
7.1mm
Rozměry
23.24 x 7.1 x 3.93mm
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
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