Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsFonction convertisseur
FVC, VFC
Type du produit
Convertisseur tension-fréquence
Type de convertisseur
Voltage
Fréquence pleine échelle
1kHz
Erreur linéaire
1 %FSR
Type d'alimentation
Single
Tension maximale d'alimentation
30V
Tension d'alimentation minimale
4.5V
Type de montage
En surface
Type de Boitier
SSOP
Nombre de broches
10
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
EN131 Professional
Longueur
5mm
Hauteur
1.5mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le dispositif est un convertisseur haute tension qui intègre de façon intelligente un transistor MOSFET de puissance robuste à avalanche 800 V doté d'une commande PWM de mode de courant. Le transistor de puissance MOSFET 800 V avec tension d'isolement permet d'appliquer la plage de tension d'entrée étendue, ainsi qu'une réduction de la taille du circuit DRAIN Snubber. Avec sa très faible consommation et son fonctionnement en modulation de fréquence sous charge légère, ce circuit intégré est conforme aux normes d'économie d'énergie les plus strictes.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2 783,41
€ 1,113 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 2 783,41
€ 1,113 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2500
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsFonction convertisseur
FVC, VFC
Type du produit
Convertisseur tension-fréquence
Type de convertisseur
Voltage
Fréquence pleine échelle
1kHz
Erreur linéaire
1 %FSR
Type d'alimentation
Single
Tension maximale d'alimentation
30V
Tension d'alimentation minimale
4.5V
Type de montage
En surface
Type de Boitier
SSOP
Nombre de broches
10
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
EN131 Professional
Longueur
5mm
Hauteur
1.5mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le dispositif est un convertisseur haute tension qui intègre de façon intelligente un transistor MOSFET de puissance robuste à avalanche 800 V doté d'une commande PWM de mode de courant. Le transistor de puissance MOSFET 800 V avec tension d'isolement permet d'appliquer la plage de tension d'entrée étendue, ainsi qu'une réduction de la taille du circuit DRAIN Snubber. Avec sa très faible consommation et son fonctionnement en modulation de fréquence sous charge légère, ce circuit intégré est conforme aux normes d'économie d'énergie les plus strictes.