Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Circuit de commande à usage général
Courant de sortie
20A
Nombre de broches
2
Temps de descente
30μs
Type de Boitier
TO-263
Type de driver
MOSFET
Temps de montée
30μs
Tension d'alimentation minimum
40V
Nombre de drivers
1
Tension d'alimentation maximum
40V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
UPC
Type de support
En surface
Standard automobile
No
Détails du produit
Les STMicroelectronics VNB10N07 sont des dispositifs monolithiques fabriqués à l'aide de la technologie VI Power M0, conçus pour le remplacement des MOSFET de puissance standard dans les applications c.c. à 50 kHz. Il est doté d'une fermeture thermique intégrée, d'une limitation de courant linéaire et d'un serre-câble de surtension pour protéger la puce dans les environnements difficiles. Le retour de défaut peut être détecté en surveillant la tension à la broche d'entrée.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 277,21
€ 1,277 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
€ 1 277,21
€ 1,277 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1000
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | € 1,277 | € 1 277,21 |
| 2000+ | € 1,262 | € 1 262,04 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Circuit de commande à usage général
Courant de sortie
20A
Nombre de broches
2
Temps de descente
30μs
Type de Boitier
TO-263
Type de driver
MOSFET
Temps de montée
30μs
Tension d'alimentation minimum
40V
Nombre de drivers
1
Tension d'alimentation maximum
40V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
UPC
Type de support
En surface
Standard automobile
No
Détails du produit
Les STMicroelectronics VNB10N07 sont des dispositifs monolithiques fabriqués à l'aide de la technologie VI Power M0, conçus pour le remplacement des MOSFET de puissance standard dans les applications c.c. à 50 kHz. Il est doté d'une fermeture thermique intégrée, d'une limitation de courant linéaire et d'un serre-câble de surtension pour protéger la puce dans les environnements difficiles. Le retour de défaut peut être détecté en surveillant la tension à la broche d'entrée.