Documents Techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type du produit
Silicon Junction
Courant direct maximum If
2A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
En surface
Type de Boitier
DO-214AA
Nombre de broches
2
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
950mV
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
50A
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
4.75mm
Hauteur
2.61mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
3.73mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 9,71
€ 0,194 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 9,71
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En surface
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DO-214AA
Nombre de broches
2
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
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Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
50A
Température d'utilisation maximum
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Longueur
4.75mm
Hauteur
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No
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