Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type du produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
2A
Sous type
Silicon Junction
Type de support
Surface
Type de Boitier
DO-214AA
Nombre de broches
2
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
950mV
Température d'utilisation minimum
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
50A
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
3.73 mm
Longueur
4.75mm
Taille
2.61mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Diodes de redressement, 1,5 à 2 A, Taiwan Semiconductor
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 11,91
€ 0,238 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 11,91
€ 0,238 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
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Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type du produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
2A
Sous type
Silicon Junction
Type de support
Surface
Type de Boitier
DO-214AA
Nombre de broches
2
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
950mV
Température d'utilisation minimum
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
50A
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
3.73 mm
Longueur
4.75mm
Taille
2.61mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit


