Jonction au silicium Non Taiwan Semiconductor, Simple, 3 A 200 V, 2 broches, DO-214AA
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type de produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
3A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
Surface
Type de Boitier
DO-214AA
Nombre de broches
2
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
950mV
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
6.22 mm
Longueur
7.11mm
Hauteur
2.42mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Diodes de redressement, 3 à 4 A, Taiwan Semiconductor
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 15,41
€ 0,308 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
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Standard
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,308 | € 15,41 |
| 250 - 950 | € 0,30 | € 15,00 |
| 1000 - 2450 | € 0,292 | € 14,60 |
| 2500+ | € 0,285 | € 14,25 |
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3A
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Surface
Type de Boitier
DO-214AA
Nombre de broches
2
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
950mV
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
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Largeur
6.22 mm
Longueur
7.11mm
Hauteur
2.42mm
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No
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