Documents Techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type de produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
3A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
En surface
Type de Boitier
DO-214AA
Nombre de broches
2
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
950mV
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
85°C
Longueur
7.11mm
Hauteur
2.42mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
6.22mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 75,82
€ 0,303 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
250
€ 75,82
€ 0,303 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
250
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 250 - 950 | € 0,303 | € 15,16 |
| 1000 - 2450 | € 0,295 | € 14,76 |
| 2500+ | € 0,288 | € 14,40 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Documents Techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type de produit
Jonction au silicium
Courant direct maximum If
3A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
En surface
Type de Boitier
DO-214AA
Nombre de broches
2
Temps de recouvrement inverse crête trr
35ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
200V
Tension directe maximale Vf
950mV
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
100A
Température d'utilisation maximum
85°C
Longueur
7.11mm
Hauteur
2.42mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
6.22mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
