Documents Techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type du produit
Switching Diode
Courant direct maximum If
0.5A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
En surface
Type de Boitier
Sub SMA
Nombre de broches
2
Temps de recouvrement inverse crête trr
500ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1kV
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
10A
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
2.9mm
Hauteur
1.43mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
1.9mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
250
Prix sur demande
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
250
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Documents Techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type du produit
Switching Diode
Courant direct maximum If
0.5A
Sous type
Silicon Junction
Type de montage
En surface
Type de Boitier
Sub SMA
Nombre de broches
2
Temps de recouvrement inverse crête trr
500ns
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1kV
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
10A
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
2.9mm
Hauteur
1.43mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
1.9mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
