Documents Techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type du produit
Diode TVS
Type de direction
Uni-Directional
Tension de claquage minimum Vbr
18.9V
Type de montage
En surface
Type de Boitier
DO-214
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
17V
Nombre de broches
2
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
600W
Tension de pincement VC
27.6V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
21.7A
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
2.45mm
Longueur
4.75mm
Normes/homologations
FBI
Largeur
3.95mm
Série
SMBJ
Courant de fuite inverse maximum
5μA
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 84,57
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
250
€ 84,57
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
250
Documents Techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type du produit
Diode TVS
Type de direction
Uni-Directional
Tension de claquage minimum Vbr
18.9V
Type de montage
En surface
Type de Boitier
DO-214
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
17V
Nombre de broches
2
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
600W
Tension de pincement VC
27.6V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
21.7A
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
2.45mm
Longueur
4.75mm
Normes/homologations
FBI
Largeur
3.95mm
Série
SMBJ
Courant de fuite inverse maximum
5μA
Standard automobile
No
Détails du produit