Documents Techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type du produit
Diode TVS
Type de direction
Bi-Directional
Tension de claquage minimum Vbr
28.9V
Type de montage
En surface
Type de Boitier
DO-214
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
26V
Nombre de broches
2
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
600W
Tension de pincement VC
42.1V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
14.3A
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
2.45mm
Longueur
4.75mm
Normes/homologations
FBI
Largeur
3.95mm
Série
SMBJ
Courant de fuite inverse maximum
5μA
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10,17
€ 0,203 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
50
€ 10,17
€ 0,203 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
50
Documents Techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type du produit
Diode TVS
Type de direction
Bi-Directional
Tension de claquage minimum Vbr
28.9V
Type de montage
En surface
Type de Boitier
DO-214
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
26V
Nombre de broches
2
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
600W
Tension de pincement VC
42.1V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
14.3A
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
2.45mm
Longueur
4.75mm
Normes/homologations
FBI
Largeur
3.95mm
Série
SMBJ
Courant de fuite inverse maximum
5μA
Standard automobile
No
Détails du produit