Documents Techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type du produit
Diode TVS
Type de direction
Bi-Directional
Tension de claquage minimum Vbr
44.4V
Type de montage
En surface
Type de Boitier
DO-214
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
40V
Nombre de broches
2
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
1.5kW
Tension de pincement VC
64.5V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
23.3A
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
2.75mm
Longueur
7.15mm
Normes/homologations
FBI
Largeur
6.25mm
Série
SMCJ
Courant de fuite inverse maximum
5μA
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,03
€ 0,302 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
20
€ 6,03
€ 0,302 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
20
Documents Techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguration de diode
Single
Type du produit
Diode TVS
Type de direction
Bi-Directional
Tension de claquage minimum Vbr
44.4V
Type de montage
En surface
Type de Boitier
DO-214
Tension inverse maximum à l'état bloqué Vwm
40V
Nombre de broches
2
Dissipation de puissance crête d'impulsion Pppm
1.5kW
Tension de pincement VC
64.5V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant de test It
1mA
Courant d'impulsion crête maximum
23.3A
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
2.75mm
Longueur
7.15mm
Normes/homologations
FBI
Largeur
6.25mm
Série
SMCJ
Courant de fuite inverse maximum
5μA
Standard automobile
No
Détails du produit