Documents Techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType du produit
MOSFET
Courant de sortie
3A
Nombre de broches
8
Type de Boitier
SOIC
Temps de descente
7ns
Type de driver
MOSFET
Nombre de sorties
2
Temps de montée
8ns
Tension d'alimentation minimale
17V
Nombre de drivers
2
Tension maximale d'alimentation
17V
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Température d'utilisation maximum
140°C
Hauteur
1.58mm
Longueur
4.9mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
3.91mm
Série
UCC27201
Type de montage
En surface
Standard automobile
No
Détails du produit
Une gamme de CI de drivers de grille de Texas Instruments adaptés à la fois aux applications MOSFET et aux applications IGBT. Les dispositifs sont capables de fournir des courants de sortie élevés compatibles avec les exigences d'entraînement des circuits de puissance MOSFET et IGBT et sont disponibles dans une variété de configurations et de types de boîtier.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2,71
€ 2,71 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 2,71
€ 2,71 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 2,71 |
| 5 - 9 | € 2,58 |
| 10 - 24 | € 2,42 |
| 25 - 49 | € 2,36 |
| 50+ | € 2,30 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType du produit
MOSFET
Courant de sortie
3A
Nombre de broches
8
Type de Boitier
SOIC
Temps de descente
7ns
Type de driver
MOSFET
Nombre de sorties
2
Temps de montée
8ns
Tension d'alimentation minimale
17V
Nombre de drivers
2
Tension maximale d'alimentation
17V
Température minimum de fonctionnemen
-40°C
Température d'utilisation maximum
140°C
Hauteur
1.58mm
Longueur
4.9mm
Normes/homologations
EN131 Professional
Largeur
3.91mm
Série
UCC27201
Type de montage
En surface
Standard automobile
No
Détails du produit
Une gamme de CI de drivers de grille de Texas Instruments adaptés à la fois aux applications MOSFET et aux applications IGBT. Les dispositifs sont capables de fournir des courants de sortie élevés compatibles avec les exigences d'entraînement des circuits de puissance MOSFET et IGBT et sont disponibles dans une variété de configurations et de types de boîtier.