Transistor MOSFET Toshiba canal N, SC-67 8 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
ToshibaType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
8 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
SC-67, TO-220SIS
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
850 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
40 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
28 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10mm
Largeur
4.5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
8.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
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CMS
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3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum
40 W
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
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1
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10mm
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