MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 14 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
14 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
160 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
88000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
26 nC V @ 10
Largeur
4.7mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.41mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
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3
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Tension de seuil minimale de la grille
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Single
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Si
Nombre d'éléments par circuit
1
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Température d'utilisation maximum
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Taille
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