MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 1 A 100 V, 4 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
HVMDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.29mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,3 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
3.37mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Philippines
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 34,03
€ 0,34 Each (In a Tube of 100) (hors TVA)
100
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100
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 0,34 | € 34,03 |
| 200 - 400 | € 0,319 | € 31,91 |
| 500+ | € 0,289 | € 28,86 |
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Nombre de broche
4
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
6.29mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
8,3 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Taille
3.37mm
Température de fonctionnement minimum
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