MOSFET Vishay canal N, TO-220FP 6,6 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6.6 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
520 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
52 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Hauteur
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 28,53
€ 2,85 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Paquet de production (Bande)
10
€ 28,53
€ 2,85 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bande)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 49 | € 2,85 |
| 50 - 99 | € 2,73 |
| 100 - 249 | € 2,56 |
| 250+ | € 2,36 |
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N
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6.6 A
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500 V
Type de boîtier
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
520 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
60000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
52 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Hauteur
9.8mm
Température de fonctionnement minimum
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