Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
21,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
180 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
61 nC @ 10 V
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 2,99
€ 2,99 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 2,99
€ 2,99 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,99 |
| 10 - 49 | € 2,56 |
| 50 - 99 | € 2,39 |
| 100 - 249 | € 2,25 |
| 250+ | € 2,08 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
21,2 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-247AC
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
200 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
180 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
5.31mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.87mm
Charge de Grille type @ Vgs
61 nC @ 10 V
Hauteur
20.7mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit



