MOSFET Vishay canal N, DPAK (TO-252) 4,3 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4.3 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
DPAK (TO-252)
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
8,3 nC @ 10 V
Largeur
6.22mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.73mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
2.39mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,82
€ 0,82 Each (hors TVA)
Standard
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Si
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1
Longueur
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Hauteur
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