Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3+Tab
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.7mm
Largeur
3.7mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.45mm
Prix sur demande
Paquet de production (Sac)
1
Prix sur demande
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Sac)
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
1.5 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
SOT-223-5
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3+Tab
Résistance Drain Source maximum
540 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-10 V, +10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
6.7mm
Largeur
3.7mm
Matériau du transistor
Si
Charge de Grille type @ Vgs
6,1 nC @ 5 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.45mm


