Transistor MOSFET Vishay canal P, SOT-23 5.1 A 12 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
5.1 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
35 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC @ 4,5 V, 9 nC @ 2,5 V
Hauteur
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
10
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Charge de Grille type @ Vgs
15 nC @ 4,5 V, 9 nC @ 2,5 V
Hauteur
1.02mm
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