MOSFET Vishay canal P, SOT-23 6 A 12 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
12 V
Type de conditionnement
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
19 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.02mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 8 à 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 3,81
€ 0,381 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,381 | € 3,81 |
| 100 - 490 | € 0,359 | € 3,58 |
| 500 - 990 | € 0,323 | € 3,23 |
| 1000 - 2490 | € 0,305 | € 3,05 |
| 2500+ | € 0,287 | € 2,87 |
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P
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12 V
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
19 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.4V
Dissipation de puissance maximum
1.7 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +8 V
Largeur
1.4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
23 nC @ 8 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
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