MOSFET Vishay canal P, SOT-23 4,7 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
4.7 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.02mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 7,79
€ 0,39 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Standard
20
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,39 | € 7,79 |
| 200 - 480 | € 0,293 | € 5,87 |
| 500 - 980 | € 0,242 | € 4,83 |
| 1000 - 1980 | € 0,207 | € 4,13 |
| 2000+ | € 0,203 | € 4,06 |
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P
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4.7 A
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Type de conditionnement
TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
13,6 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
1.4mm
Température de fonctionnement minimum
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