MOSFET Vishay canal N, SOIC 9,9 A 30 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
9.9 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
14 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
15,4 nC @ 10 V, 7,3 nC @ 4,5 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 6,73
€ 0,673 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,673 | € 6,73 |
| 100 - 240 | € 0,632 | € 6,32 |
| 250 - 490 | € 0,572 | € 5,72 |
| 500 - 990 | € 0,54 | € 5,40 |
| 1000+ | € 0,504 | € 5,04 |
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N
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SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
14 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1.2V
Dissipation de puissance maximum
2,5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
15,4 nC @ 10 V, 7,3 nC @ 4,5 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
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