Transistor MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 3,8 A, 6,6 A 20 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N, P
Courant continu de Drain maximum
3.8 A, 6.6 A
Tension Drain Source maximum
20 V (canal N), -20 V (canal P)
Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ, 60 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC @ 4,5 V, 6 nC @ 4,5 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
5mm
Largeur
4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
1.55mm
Pays d'origine
China
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Type de boîtier
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
20 mΩ, 60 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
1.3 W
Tension Grille Source maximum
-12 V, +12 V
Charge de Grille type @ Vgs
11 nC @ 4,5 V, 6 nC @ 4,5 V
Nombre d'éléments par circuit
2
Température d'utilisation maximum
150 °C
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