MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 3 A, 3,7 A 30 V, 8 broches

N° de stock RS: 710-4720Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI4532ADY-T1-E3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N, P

Courant continu de Drain maximum

3 A, 3.7 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Type de conditionnement

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

53 mΩ, 80 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1.13 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Charge de Grille type @ Vgs

10 nC @ 10 V, 8 nC @ 10 V

Nombre d'éléments par circuit

2

Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

5mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

1.55mm

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 4,3 A, 6 A 30 V, 8 broches
MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 4,3 A, 6 A 30 V, 8 brochesMarque: Vishay
€ 0,585Each (In a Pack of 20) (hors TVA)

Prix ​​sur demande

Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 3 A, 3,7 A 30 V, 8 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10Prix ​​sur demande
20Prix ​​sur demande
30Prix ​​sur demande
40Prix ​​sur demande
50Prix ​​sur demande
60Prix ​​sur demande
70Prix ​​sur demande
80Prix ​​sur demande
90Prix ​​sur demande
100Prix ​​sur demande
110Prix ​​sur demande
120Prix ​​sur demande
130Prix ​​sur demande
140Prix ​​sur demande
150Prix ​​sur demande

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Type de canal

N, P

Courant continu de Drain maximum

3 A, 3.7 A

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Type de conditionnement

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

53 mΩ, 80 mΩ

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Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

1.13 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

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Largeur

4mm

Matériau du transistor

Si

Charge de Grille type @ Vgs

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Température d'utilisation maximum

150 °C

Longueur

5mm

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