MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 broches

N° de stock RS: 812-3233Marque: VishayN° de pièce Mfr: SI4599DY-T1-GE3
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Documents techniques

Spécifications

Brand

Vishay

Type de canal

N, P

Courant continu de Drain maximum

4,7 A, 6,8 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Type de conditionnement

SOIC W

Type de montage

CMS

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

42,5 mΩ, 62 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil minimale de la grille

1.2V

Dissipation de puissance maximum

3 W, 3,1 W

Configuration du transistor

Isolated

Tension Grille Source maximum

±20 V

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

2

Longueur

5mm

Charge de Grille type @ Vgs

11,7 nC @ 10 V, 25 nC @ 10 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

4mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Hauteur

1.55mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET à double canal N/P, Vishay Semiconductors

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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Transistor MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 4,4 A, 5 A 40 V, 8 brochesMarque: Vishay
Prix ​​sur demandeEach (In a Pack of 10) (hors TVA)

€ 15,03

€ 0,751 Each (In a Pack of 20) (hors TVA)

MOSFET Vishay canal N/P, SOIC 4,7 A, 6,8 A 40 V, 8 broches
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Standard

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Standard - each

Disponible en multiples de 20.

Production -

Disponible en multiples de 20.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

20

Disponible en multiples de 20
20€ 15,03
40€ 30,05
60€ 45,08
80€ 60,10
100€ 75,13
120€ 90,16
140€ 105,18
160€ 120,21
180€ 135,23
200€ 115,78
220€ 127,36
240€ 138,93
260€ 150,51
280€ 162,09
300€ 173,67

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140€ 105,18
160€ 120,21
180€ 135,23
200€ 115,78
220€ 127,36
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QuantitéPrix unitairePar Paquet
20 - 180€ 0,751€ 15,03
200 - 480€ 0,579€ 11,58
500 - 980€ 0,489€ 9,77
1000 - 1980€ 0,451€ 9,02
2000+€ 0,376€ 7,51

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Brand

Vishay

Type de canal

N, P

Courant continu de Drain maximum

4,7 A, 6,8 A

Tension Drain Source maximum

40 V

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Nombre de broche

8

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Matériau du transistor

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2

Longueur

5mm

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