MOSFET Vishay canal N, SOIC 5,3 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5.3 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de conditionnement
SOIC W
Type de montage
CMS
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum
72 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Isolated
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
2
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
13 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.5mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Taiwan, Province Of China
Détails du produit
Transistor MOSFET à double canal N, Vishay Semiconductors
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Nombre de broches
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Mode de canal
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Tension de seuil minimale de la grille
1V
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Configuration du transistor
Isolated
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±20 V
Largeur
4mm
Matériau du transistor
Si
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2
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
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