MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 6 A 400 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
VishayType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
6 A
Tension Drain Source maximum
400 V
Série
D Series
Type de boîtier
TO-220AB
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
104 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.51mm
Charge de Grille type @ Vgs
9 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.01mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET canal N, série D haute tension, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 5,26
€ 1,052 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,052 | € 5,26 |
| 50 - 245 | € 1,032 | € 5,16 |
| 250 - 495 | € 0,789 | € 3,94 |
| 500 - 1245 | € 0,739 | € 3,69 |
| 1250+ | € 0,634 | € 3,17 |
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N
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6 A
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Série
D Series
Type de boîtier
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Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
1 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
104 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.65mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.51mm
Charge de Grille type @ Vgs
9 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
9.01mm
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