Documents Techniques
Spécifications
Brand
VishayType de produit
Diode Schottky et de redressement
Type de montage
En surface
Type de Boitier
TO-263
Courant continu direct maximum If
30A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Configuration de diode
Single
Série
FRED Pt
Type de Diode
General Purpose
Tension directe maximale Vf
2.1V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
110A
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
RoHS, ECOLAB
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le redresseur hypertrame Vishay, doté d'une combinaison unique de faibles pertes de conduction et de commutation, ce redresseur est le bon choix pour les convertisseurs haute fréquence, à commutation douce/résonant. Spécialement conçus pour améliorer l'efficacité des phases PFC et de rectification de sortie des stations de charge de batterie EV/HEV, du niveau d'amplification des inverseurs solaires et des applications d'onduleur, ces dispositifs sont parfaitement adaptés pour fonctionner avec des transistors MOSFET ou des IGBT haute vitesse.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 895,80
€ 1,12 Each (On a Reel of 800) (hors TVA)
800
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800
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Diode Schottky et de redressement
Type de montage
En surface
Type de Boitier
TO-263
Courant continu direct maximum If
30A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
1200V
Configuration de diode
Single
Série
FRED Pt
Type de Diode
General Purpose
Tension directe maximale Vf
2.1V
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
110A
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
RoHS, ECOLAB
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le redresseur hypertrame Vishay, doté d'une combinaison unique de faibles pertes de conduction et de commutation, ce redresseur est le bon choix pour les convertisseurs haute fréquence, à commutation douce/résonant. Spécialement conçus pour améliorer l'efficacité des phases PFC et de rectification de sortie des stations de charge de batterie EV/HEV, du niveau d'amplification des inverseurs solaires et des applications d'onduleur, ces dispositifs sont parfaitement adaptés pour fonctionner avec des transistors MOSFET ou des IGBT haute vitesse.