Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Diode
Type de support
Through Hole
Type de Boitier
TO-220AC
Courant continu direct maximum If
8A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Série
STPS
Type de Diode
SiC Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
340μA
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
540A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.75mm
Hauteur
4.6mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
La diode Schottky de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics est conçue pour fournir un rendement supérieur dans les systèmes de conversion de puissance exigeants. Il fournit une commutation ultrarapide sans récupération inverse, garantissant une réduction des pertes d'énergie et des performances stables à des températures variables. Ce dispositif est particulièrement adapté aux conceptions compactes dans des applications telles que les inverseurs solaires, les entraînements de moteur et les alimentations à découpage.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2,57
€ 2,57 Each (hors TVA)
1
€ 2,57
€ 2,57 Each (hors TVA)
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1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,57 |
| 10 - 99 | € 1,27 |
| 100 - 499 | € 1,15 |
| 500 - 999 | € 0,92 |
| 1000+ | € 0,84 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
Diode
Type de support
Through Hole
Type de Boitier
TO-220AC
Courant continu direct maximum If
8A
Tension inverse de crête répétitive Vrrm
650V
Configuration de diode
Silicon Carbide Schottky Diode
Série
STPS
Type de Diode
SiC Schottky
Nombre de broches
2
Courant inverse crête Ir
340μA
Tension directe maximale Vf
1.3V
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Courant direct de surcharge non-répétitif de crête Ifsm
540A
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
15.75mm
Hauteur
4.6mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
La diode Schottky de puissance en carbure de silicium de STMicroelectronics est conçue pour fournir un rendement supérieur dans les systèmes de conversion de puissance exigeants. Il fournit une commutation ultrarapide sans récupération inverse, garantissant une réduction des pertes d'énergie et des performances stables à des températures variables. Ce dispositif est particulièrement adapté aux conceptions compactes dans des applications telles que les inverseurs solaires, les entraînements de moteur et les alimentations à découpage.