Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
H2PAK
Série
DeepGate, STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.9mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
117nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.8mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 35,53
€ 3,127 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 35,53
€ 3,127 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 20 - 98 | € 3,127 | € 6,25 |
| 100 - 198 | € 2,793 | € 5,59 |
| 200+ | € 2,396 | € 4,79 |
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MOSFET
Type de canal
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100V
Type de Boitier
H2PAK
Série
DeepGate, STripFET
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En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.9mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
250W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
117nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
4.8mm
Longueur
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