Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
45A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
100mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
3.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
270W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
105nC
Température d'utilisation maximum
200°C
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
5.15mm
Hauteur
20.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 83,11
€ 16,41 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
€ 83,11
€ 16,41 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
45A
Tension Drain Source maximum Vds
1200V
Type de Boitier
Hip-247
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
100mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
3.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
270W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
105nC
Température d'utilisation maximum
200°C
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
5.15mm
Hauteur
20.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une très faible résistance de drain-source à l'état passant pour les tensions nominales de 1 200 V, combinée avec d'excellentes performances de commutation, ce qui se traduit par des systèmes plus efficaces et plus compacts.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
