MOSFET N STMicroelectronics 17 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

17A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-263

Série

MDmesh

Type de support

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

190mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46nC

Dissipation de puissance maximum Pd

125W

Température minimum de fonctionnemen

-60°C

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

125°C

Longueur

10.75mm

Taille

4.6mm

Normes/homologations

UPC

Standard automobile

No