Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type du produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
480V
Série
STD
Type de Boitier
TO-252
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Épuisement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
13nC
Dissipation de puissance maximum Pd
92W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
UPC
Longueur
6.6mm
Hauteur
10.1mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics à canal N MDmesh M6 dans un boîtier DPAK a réduit les pertes de commutation. Il est également doté d'un RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2 555,80
€ 2 555,80 1 Reel of 2500 (hors TVA)
1
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Type N
Type du produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
10A
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480V
Série
STD
Type de Boitier
TO-252
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
380mΩ
Mode de canal
Épuisement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
13nC
Dissipation de puissance maximum Pd
92W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
UPC
Longueur
6.6mm
Hauteur
10.1mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance STMicroelectronics à canal N MDmesh M6 dans un boîtier DPAK a réduit les pertes de commutation. Il est également doté d'un RDS(on) plus faible par zone par rapport à la génération précédente.