Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2.2A
Tension Drain Source maximum Vds
1kV
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
6.8Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
18nC
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 27,70
€ 2,49 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 27,70
€ 2,49 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,49 | € 12,45 |
| 125+ | € 2,041 | € 10,20 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2.2A
Tension Drain Source maximum Vds
1kV
Type de Boitier
TO-252
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
6.8Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
18nC
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
6.6mm
Hauteur
2.4mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
AEC-Q101
Pays d'origine
China
Détails du produit