MOSFET N STMicroelectronics 9 A 950 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 MDmesh K5

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

9A

Tension Drain Source maximum Vds

950V

Type de Boitier

TO-252

Série

MDmesh K5

Type de montage

Surface

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.25Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

9.6nC

Température de fonctionnement minimum

-55°C

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.1mm

Taille

2.4mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

No

Pays d'origine

China