Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
N
Courant continu de Drain maximum Id
22A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Série
STI28
Type de Boitier
I2PAK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
150mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
170W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Température d'utilisation maximum
85°C
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Largeur
4.6mm
Hauteur
9.3mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Ces dispositifs sont des transistors MOSFET de puissance à canal N développés à l'aide de la technologie MDmesh™ M2. Grâce à leur disposition en barrette et une structure verticale améliorée, ces dispositifs présentent une faible résistance à l'état passant et des propriétés de commutation optimisées, ce qui les rend adaptés pour les convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 101,48
€ 2,03 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 101,48
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 2,03 | € 101,48 |
| 250 - 450 | € 1,979 | € 98,97 |
| 500+ | € 1,925 | € 96,23 |
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Type de Boitier
I2PAK
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.6V
Dissipation de puissance maximum Pd
170W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
36nC
Température d'utilisation maximum
85°C
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
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Largeur
4.6mm
Hauteur
9.3mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Ces dispositifs sont des transistors MOSFET de puissance à canal N développés à l'aide de la technologie MDmesh™ M2. Grâce à leur disposition en barrette et une structure verticale améliorée, ces dispositifs présentent une faible résistance à l'état passant et des propriétés de commutation optimisées, ce qui les rend adaptés pour les convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
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