Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Série
MDmesh DM2
Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
79mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
70nC
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
UPC
Hauteur
20.15mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 163,26
€ 5,442 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 163,26
€ 5,442 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 5,442 | € 163,26 |
| 150+ | € 5,375 | € 161,26 |
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Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
40A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Série
MDmesh DM2
Type de Boitier
TO-247
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
79mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
70nC
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
UPC
Hauteur
20.15mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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