Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Série
STW
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
320W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
52.6nC
Température d'utilisation maximum
85°C
Normes/homologations
UL, ECOLAB
Largeur
15.8mm
Hauteur
5.1mm
Longueur
40.92mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération MDmesh rapide précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone avec l'un des des comportements de commutation efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 21,40
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
€ 21,40
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Série
STW
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
4
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension maximale de source de la grille Vgs
25V
Tension directe Vf
1.5V
Dissipation de puissance maximum Pd
320W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
52.6nC
Température d'utilisation maximum
85°C
Normes/homologations
UL, ECOLAB
Largeur
15.8mm
Hauteur
5.1mm
Longueur
40.92mm
Standard automobile
AEC-Q101
Détails du produit
Le transistor MOSFET de puissance à canal N haute tension de STMicroelectronics fait partie de la série de diodes à récupération rapide MDmesh DM6. Par rapport à la génération MDmesh rapide précédente, le DM6 combine une très faible charge de récupération (Qrr), un temps de récupération (trr) et une excellente amélioration de la RDS(on) par zone avec l'un des des comportements de commutation efficaces disponibles sur le marché pour les topologies de pont à haut rendement les plus exigeantes et les convertisseurs à décalage de phase ZVS.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
