Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
B-2
Série
RF2L
Type de montage
En surface
Nombre de broche
2
Mode de canal
Enhancement
Température d'utilisation maximum
200°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
20.57mm
Hauteur
3.61mm
Normes/homologations
RoHS
Gain en puissance typique
12.5dB
Standard automobile
No
Détails du produit
Le STMicroelectronics RF2L36075CF2 est un transistor LDMOS 75 W à correspondance interne conçu pour les stations de base WCDMA/PCS/DCS/LTE multiconducteurs et les applications de radar S-Band dans la plage de fréquence de 3,1 à 3,6 GHz. Il peut être utilisé dans les classes AB, B ou C pour tous les formats de modulation de station de base cellulaires typiques.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (On a Reel of 120) (hors TVA)
120
Prix sur demande
Each (On a Reel of 120) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
120
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
B-2
Série
RF2L
Type de montage
En surface
Nombre de broche
2
Mode de canal
Enhancement
Température d'utilisation maximum
200°C
Configuration du transistor
Single
Longueur
20.57mm
Hauteur
3.61mm
Normes/homologations
RoHS
Gain en puissance typique
12.5dB
Standard automobile
No
Détails du produit
Le STMicroelectronics RF2L36075CF2 est un transistor LDMOS 75 W à correspondance interne conçu pour les stations de base WCDMA/PCS/DCS/LTE multiconducteurs et les applications de radar S-Band dans la plage de fréquence de 3,1 à 3,6 GHz. Il peut être utilisé dans les classes AB, B ou C pour tous les formats de modulation de station de base cellulaires typiques.