Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
61nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 66,91
€ 2,405 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
25
€ 66,91
€ 2,405 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
25
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 2,405 | € 12,03 |
| 125+ | € 1,973 | € 9,86 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
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Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-263
Série
STripFET H7
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
150W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
61nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
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No
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