Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh DM2
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
290mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
20nC
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
4.6mm
Longueur
9.35mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 226,07
€ 1,226 Each (On a Reel of 1000) (hors TVA)
1000
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Mode de canal
Enhancement
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Température de fonctionnement minimale
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Hauteur
4.6mm
Longueur
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No
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