MOSFET N STMicroelectronics 13 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 MDmesh M2

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

13A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-263

Série

MDmesh M2

Type de montage

Surface

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum Rds

280mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Température de fonctionnement minimum

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

21.5nC

Tension directe Vf

1.6V

Température d'utilisation maximum

150°C

Taille

4.6mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

No