Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
190mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
10.75mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 33,24
€ 3,32 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 33,24
€ 3,32 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 10 - 99 | € 3,32 |
| 100 - 999 | € 2,50 |
| 1000+ | € 2,08 |
Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-263
Série
MDmesh
Type de support
En surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
190mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Température minimum de fonctionnemen
-60°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
125°C
Longueur
10.75mm
Hauteur
4.6mm
Normes/homologations
UPC
Standard automobile
No
Détails du produit