Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
160mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6.4nC
Tension directe Vf
-1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.38mm
Longueur
6.6mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 75,74
€ 0,691 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
100
€ 75,74
€ 0,691 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
100
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,691 | € 13,82 |
| 500+ | € 0,575 | € 11,50 |
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Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type P
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Type de Boitier
TO-252
Série
STripFET
Type de montage
En surface
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
160mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6.4nC
Tension directe Vf
-1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Hauteur
2.38mm
Longueur
6.6mm
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