Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
7A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-252
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
680mΩ
Channel Mode
Enhancement
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Power Dissipation Pd
85W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
100nC
Maximum Operating Temperature
150°C
Standards/Approvals
No
Length
6.6mm
Height
2.17mm
Automotive Standard
No
Détails du produit
Ces dispositifs sont des transistors MOSFET de puissance à canal N développés à l'aide de la technologie MDmesh M2. Grâce à leur disposition de bande et à leur structure verticale améliorée, ces dispositifs présentent une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation optimisées, ce qui les rend adaptés aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
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Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 943,13
€ 0,777 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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100nC
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No
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6.6mm
Height
2.17mm
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No
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Ces dispositifs sont des transistors MOSFET de puissance à canal N développés à l'aide de la technologie MDmesh M2. Grâce à leur disposition de bande et à leur structure verticale améliorée, ces dispositifs présentent une faible résistance à l'état passant et des caractéristiques de commutation optimisées, ce qui les rend adaptés aux convertisseurs à haut rendement les plus exigeants.
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